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射频晶体管
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MRF1004MB

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数量单价合计
1
¥571.5314
571.5314
10
¥524.433
5244.33
25
¥470.645
11766.125
50
¥416.857
20842.85
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极连续电流
250 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
332A-03
封装
Tray
工作频率
1090 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
7 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，MRF1004MB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF8VP13350NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,019.9719
参考库存:16405
MRF151G
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,315.1166
10:¥1,273.0128
25:¥1,230.9768
50:¥994.7729
参考库存:3108
BLF278
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,236.9658
10:¥1,191.02
25:¥1,134.5426
50:¥1,121.864
参考库存:3080
SKY65050-372LF
Skyworks Solutions, Inc.
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz
1:¥14.4414
10:¥12.9837
25:¥11.3678
100:¥10.4525
3,000:¥6.6444
参考库存:8911
D1211UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-500MHz SE
100:¥171.8956
250:¥171.1272
500:¥170.743
参考库存:16414
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