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射频晶体管

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BLF245

  • Advanced Semiconductor, Inc.
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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数量单价合计
1
¥553.248
553.248
10
¥461.04
4610.4
25
¥414.936
10373.4
50
¥368.832
18441.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装
Tray
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,BLF245的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥910.8591
2:¥882.5865
5:¥882.3492
10:¥853.8506
参考库存:2572
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
1:¥6.5314
10:¥5.4692
100:¥3.5256
1,000:¥2.825
15,000:¥2.2035
参考库存:19122
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G20S250-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
1:¥725.8329
5:¥702.3967
10:¥688.3282
25:¥644.9927
100:¥622.7882
250:¥599.4311
参考库存:2804
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 1GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package
600:¥275.2454
参考库存:16057
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-28V-175MHz SE
50:¥541.948
100:¥526.9642
参考库存:16060
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