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射频晶体管
MRF8S7170NR3参考图片

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MRF8S7170NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHz 50W OM780-2
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数量单价合计
1
¥643.3768
643.3768
5
¥630.9355
3154.6775
10
¥610.1096
6101.096
25
¥584.2891
14607.2275
250
¥523.8906
130972.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
19.4 dB
输出功率
50 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
728 MHz to 768 MHz
系列
MRF8S7120N
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935317133528
单位重量
3.081 g
商品其它信息
优势价格,MRF8S7170NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
1:¥1,081.6021
5:¥1,060.392
10:¥1,010.9884
25:¥989.6992
参考库存:3818
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1
1:¥4.3053
10:¥3.1979
100:¥2.0114
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:6726
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 15W 50V GaN
1:¥445.672
25:¥391.884
100:¥345.78
200:¥315.044
参考库存:3845
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA
1:¥2.9945
10:¥2.3391
100:¥1.2656
1,000:¥0.95259
15,000:¥0.70738
参考库存:78805
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB
1:¥1,690.48
25:¥1,525.6582
参考库存:3813
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