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射频晶体管

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AGR19060EF

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数量单价合计
10
¥699.244
6992.44
30
¥619.3304
18579.912
50
¥559.3952
27969.76
100
¥539.4168
53941.68
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
封装
Tray
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,AGR19060EF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥2.147
100:¥0.99101
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.64523
参考库存:6172
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H330W24N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
150:¥882.5865
参考库存:14782
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,387.9564
10:¥1,273.623
25:¥1,142.995
50:¥1,012.367
参考库存:1285
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.6838
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
2,000:¥0.78422
参考库存:9649
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
暂无价格
参考库存:14789
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