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射频晶体管
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SD1274-01

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库存：2,432(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥292.4553
292.4553
10
¥283.3136
2833.136
25
¥272.782
6819.55
50
¥267.019
13350.95
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
18 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
4 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
SOT-123
封装
Tray
工作频率
175 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
65 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，SD1274-01的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP 740FESD H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BI
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:5701
AFIC31025NR1
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFIC31025N/FM17F///REEL 13 Q2 DP
500:¥271.8554
参考库存:15060
RFM00U7U(TE85L,F)
Toshiba
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
1:¥10.2152
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
3,000:¥3.8872
参考库存:15063
NPT25100B
MACOM
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.1-2.7GHz 125W Gain 16.5dB GaN
1:¥1,344.0898
2:¥1,306.9693
5:¥1,277.0017
10:¥1,239.6552
参考库存:1570
MRF8P9040NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 40W
1:¥191.4898
5:¥183.0374
10:¥176.6529
25:¥154.1433
500:¥132.9332
参考库存:15068
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