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射频晶体管
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TGF2952

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-14GHz 5W 32V GaN P3dB @ 3GHz 38.6dBm
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数量单价合计
50
¥232.667
11633.35
100
¥201.2417
20124.17
250
¥189.1846
47296.15
500
¥177.8055
88902.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20.4 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Id-连续漏极电流
480 mA
输出功率
38.4 dBm
最大漏极/栅极电压
100 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
10.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
商标
Qorvo
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1111797
商品其它信息
优势价格，TGF2952的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AGR09090EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
1:¥751.111
5:¥689.2548
10:¥618.562
25:¥547.8692
参考库存:15483
MRF422
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB
1:¥509.6752
10:¥490.081
参考库存:2233
A2T07H310-24SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07H310-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,057.0924
参考库存:15488
PD55025S-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥167.6694
10:¥162.9008
100:¥149.9962
250:¥143.4648
参考库存:2285
MRF581A
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:2109
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