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射频晶体管
A2T21S161W12SR3参考图片

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A2T21S161W12SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S161W12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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库存:17,466(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥438.7564
109689.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.5 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
19.1 dB
输出功率
38 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935363146128
商品其它信息
优势价格,A2T21S161W12SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.2262
10:¥3.4465
100:¥2.1018
1,000:¥1.6272
3,000:¥1.3899
参考库存:5834
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.4578
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:9452
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
1:¥445.672
25:¥391.884
100:¥345.78
250:¥315.044
参考库存:4034
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 100W-28V-500MHz PP
50:¥691.0967
100:¥685.4128
参考库存:17109
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,097.7385
参考库存:17112
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