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射频晶体管

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CE3512K2

  • CEL
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
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11.6051
10
¥8.8366
88.366
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645.23
500
¥5.4918
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
CEL
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
Vds-漏源极击穿电压
4 V
Id-连续漏极电流
10 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
125 mW
安装风格
SMD/SMT
封装
Bulk
商标
CEL
正向跨导 - 最小值
54
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
单位重量
16.473 mg
商品其它信息
优势价格，CE3512K2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXAC192908FV-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,036.2665
参考库存:16286
PH1214-25M
MACOM
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射频(RF)双极晶体管
1:¥1,619.7081
参考库存:2795
TPR700
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥2,634.3012
参考库存:16291
ARF1511
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,461.0335
2:¥1,425.8453
5:¥1,405.0194
10:¥1,385.1201
参考库存:2797
D2203UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz PP
1:¥711.3802
10:¥628.167
25:¥557.4742
50:¥499.234
参考库存:2870
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