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射频晶体管

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AGR09130EF

制造商:Advanced Semiconductor, Inc.
批号:新批次
描述:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 921-960MHz 150Watt Gain 18dB
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1	¥963.4154	963.4154
5	¥884.0442	4420.221
10	¥793.373	7933.73
25	¥702.7018	17567.545

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参数信息

参数	参数值
制造商	Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS	是
技术	Si
封装	Tray
商标	Advanced Semiconductor, Inc.
产品类型	RF MOSFET Transistors
工厂包装数量	10
子类别	MOSFETs

商品其它信息

优势价格，AGR09130EF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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图片	型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
	BFU690F,115	NXP Semiconductors	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 Single NPN 18GHz	1:¥4.4522 10:¥3.6499 100:¥2.2261 1,000:¥1.7176 3,000:¥1.469	参考库存:47499
	BFY64004PZZZA1	Infineon Technologies	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 HIREL	暂无价格	参考库存:17622
	SD1477	Advanced Semiconductor, Inc.	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor	1:¥553.248 10:¥461.04 25:¥414.936 50:¥368.832	参考库存:17625
	TGF2978-SM	Qorvo	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB	暂无价格	参考库存:17628
	AFV09P350-04NR3	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V	250:¥1,497.0014	参考库存:17631

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