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射频晶体管
2N5952参考图片

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2N5952

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NPN RF Amp Engineering Hold
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数量单价合计
2,000
¥3.6838
7367.6
10,000
¥3.5369
35369
24,000
¥3.4352
82444.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压
30 V
最大漏极/栅极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
封装
Bulk
配置
Single
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
RF JFET
系列
2N5952
类型
JFET
宽度
4.19 mm
商标
Central Semiconductor
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
2N5952 BK
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,2N5952的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.59212
参考库存:10552
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor
20:¥2,587.361
参考库存:18169
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
250:¥2,165.8145
参考库存:18172
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
100:¥291.766
300:¥274.2397
参考库存:5074
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥293.5288
10:¥243.2777
25:¥236.509
50:¥229.7516
100:¥175.1161
参考库存:4686
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