您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

射频晶体管
2N5952参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

2N5952

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NPN RF Amp Engineering Hold
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:17,008(价格仅供参考)
数量单价合计
2,000
¥3.6838
7367.6
10,000
¥3.5369
35369
24,000
¥3.4352
82444.8
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压
30 V
最大漏极/栅极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
封装
Bulk
配置
Single
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
RF JFET
系列
2N5952
类型
JFET
宽度
4.19 mm
商标
Central Semiconductor
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
2N5952 BK
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,2N5952的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200W 32V HF to 1.3GHz LDMOS transistor in STAC package
1:¥1,281.1488
5:¥1,250.345
10:¥1,219.2926
25:¥1,202.2409
参考库存:16708
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V
1:¥3.3787
10:¥2.4295
100:¥1.11418
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.72998
参考库存:21085
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1:¥74.7608
1,000:¥74.7608
参考库存:4095
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥627.4777
2:¥617.2512
5:¥604.0415
10:¥594.3574
参考库存:16715
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
参考库存:3617
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们