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射频晶体管
2N5952参考图片

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2N5952

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NPN RF Amp Engineering Hold
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数量单价合计
2,000
¥3.6838
7367.6
10,000
¥3.5369
35369
24,000
¥3.4352
82444.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压
30 V
最大漏极/栅极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
封装
Bulk
配置
Single
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
RF JFET
系列
2N5952
类型
JFET
宽度
4.19 mm
商标
Central Semiconductor
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
2N5952 BK
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,2N5952的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 SWITCHING DEVICE
1:¥3.4578
10:¥2.2374
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.56048
参考库存:12457
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
1:¥2,673.4896
参考库存:3576
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-400MHz PP
1:¥986.4674
10:¥871.0605
25:¥773.0104
50:¥732.5903
参考库存:17078
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
暂无价格
参考库存:17081
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
1:¥3.616
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:12359
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