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射频晶体管
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MRF8VP13350NR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13
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50
¥1,067.4658
53373.29
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.3 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 100 V
增益
19.2 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-4L
封装
Reel
工作频率
700 MHz to 1300 MHz
系列
MRF8VP13350
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935316089578
单位重量
3.074 g
商品其它信息
优势价格，MRF8VP13350NR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP 181 E7764
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:11732
BLW50F
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥751.111
10:¥689.2548
25:¥618.562
50:¥547.8692
参考库存:1079
PTFC262157FH-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥945.6744
参考库存:14572
2SK4037(TE12L,Q)
Toshiba
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
1:¥36.5781
10:¥29.4252
100:¥26.8149
250:¥24.2046
1,000:¥18.2834
参考库存:2008
PD55003S-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥96.5133
10:¥88.7502
25:¥85.0664
100:¥74.919
参考库存:1476
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