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射频晶体管
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PTVA120501EA-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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640.4614
50
¥640.4614
32023.07
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
50 mA
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
增益
17 dB
输出功率
50 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
H-36265-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1200 MHz to 1400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3.5 V
商品其它信息
优势价格，PTVA120501EA-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PH1214-80M
MACOM
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2:¥2,580.129
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10:¥2,496.8367
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AGR19045EF
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 9.5Watt Gain 15dB
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25:¥309.6652
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DU1260T
MACOM
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
10:¥1,347.3894
参考库存:15626
ARF469AG
Microchip / Microsemi
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥403.2518
2:¥392.3473
5:¥381.5106
10:¥370.5948
参考库存:2153
UF2820P
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥594.9676
5:¥547.9483
参考库存:15631
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