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射频晶体管
AFT05MS031NR1参考图片

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AFT05MS031NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V
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数量单价合计
1
¥93.7448
93.7448
10
¥86.219
862.19
25
¥82.377
2059.425
100
¥72.772
7277.2
500
¥62.8506
31425.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 40 V
增益
19 dB
输出功率
33 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
136 MHz to 520 MHz
系列
AFT05MS031N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
5.8 S
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
294 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 VDC
零件号别名
935325665528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
优势价格，AFT05MS031NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D2212UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-1GHz SE
50:¥441.0616
100:¥428.9254
参考库存:15617
PH1214-80M
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥2,623.9278
2:¥2,580.129
5:¥2,537.7992
10:¥2,496.8367
25:¥2,406.8548
参考库存:15620
AGR19045EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 9.5Watt Gain 15dB
1:¥424.541
5:¥389.5788
10:¥349.622
25:¥309.6652
参考库存:15623
DU1260T
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
10:¥1,347.3894
参考库存:15626
ARF469AG
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥403.2518
2:¥392.3473
5:¥381.5106
10:¥370.5948
参考库存:2153
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