您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

射频晶体管
MRFE6S9125NR1参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

MRFE6S9125NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:15,428(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥487.3238
243661.9
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 66 V
增益
20.2 dB
输出功率
27 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-4
封装
Reel
配置
Single
高度
2.64 mm
长度
17.58 mm
工作频率
880 MHz
系列
MRFE6S9125N
宽度
9.07 mm
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935314059528
单位重量
1.646 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6S9125NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
1:¥1,037.34
25:¥899.028
100:¥776.084
参考库存:3039
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1023HS/CFM6F///REEL 13
1:¥1,382.7358
5:¥1,351.8416
10:¥1,324.1792
25:¥1,304.6641
50:¥1,257.2606
参考库存:16507
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥2.3504
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.59212
参考库存:51009
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
1:¥83.0663
10:¥76.3767
25:¥72.998
100:¥64.5456
1,000:¥51.0986
参考库存:3802
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
1:¥579.6787
5:¥569.0793
10:¥554.3215
25:¥543.4848
参考库存:3015
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们