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射频晶体管
MMRF1314GSR5参考图片

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MMRF1314GSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1314GS/CFM4///REEL 13
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50
¥3,786.4492
189322.46
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
17.7 dB
输出功率
1 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230GS-4L-4
封装
Reel
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
909 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935316224178
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格，MMRF1314GSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP 520 H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.6668
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.9379
9,000:¥0.87575
参考库存:4047
PTVA120501EA-V1-R250
Wolfspeed / Cree
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250:¥640.4614
参考库存:15940
TGF3015-SM
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1:¥445.672
25:¥391.884
100:¥345.78
250:¥315.044
参考库存:2550
VRF154FLMP
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥3,821.8634
5:¥3,591.5016
参考库存:15945
BF244B
Central Semiconductor
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Ch RF Amplifier 30Vdg -30Vgs 50mA
1:¥11.9102
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:2498
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