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射频晶体管

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AFT23H200-4S2LR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L
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库存:15,088(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥732.127
109819.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
输出功率
200 W
封装
Cut Tape
封装
Reel
配置
Single
工作频率
2300 MHz
系列
AFT23H200_4S2L
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
零件号别名
935311216128
单位重量
8.576 g
商品其它信息
优势价格,AFT23H200-4S2LR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1024HS/CFM6F///REEL 13
1:¥1,167.3578
5:¥1,141.30
10:¥1,117.9429
25:¥1,101.4223
50:¥1,061.4655
参考库存:18058
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-500MHz SE
50:¥379.7478
参考库存:18061
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
50:¥3,714.6716
参考库存:18064
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:4803
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 14 Amp
1:¥1,229.9824
5:¥1,200.399
10:¥1,170.5783
25:¥1,154.2159
参考库存:4622
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