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射频晶体管
BFS20,215参考图片

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BFS20,215

  • Nexperia
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 TRANS MED FREQ
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库存:7,815(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.2261
22.261
100
¥1.2091
120.91
1,000
¥0.90626
906.26
3,000
¥0.78422
2352.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
25 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
30 V
直流电流增益 hFE 最大值
40
高度
1 mm
长度
3 mm
工作频率
450 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.4 mm
商标
Nexperia
增益带宽产品fT
450 MHz
最大直流电集电极电流
25 mA
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFS20 T/R
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BFS20,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200W 32V HF to 1.3GHz LDMOS transistor in STAC package
1:¥1,281.1488
5:¥1,250.345
10:¥1,219.2926
25:¥1,202.2409
参考库存:16708
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V
1:¥3.3787
10:¥2.4295
100:¥1.11418
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.72998
参考库存:21085
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1:¥74.7608
1,000:¥74.7608
参考库存:4095
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥627.4777
2:¥617.2512
5:¥604.0415
10:¥594.3574
参考库存:16715
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
参考库存:3617
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