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射频晶体管
BFS20,215参考图片

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BFS20,215

  • Nexperia
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 TRANS MED FREQ
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库存:7,815(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.2261
22.261
100
¥1.2091
120.91
1,000
¥0.90626
906.26
3,000
¥0.78422
2352.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
25 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
30 V
直流电流增益 hFE 最大值
40
高度
1 mm
长度
3 mm
工作频率
450 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.4 mm
商标
Nexperia
增益带宽产品fT
450 MHz
最大直流电集电极电流
25 mA
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFS20 T/R
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BFS20,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdMOST N-Ch 6W 15dB 870MHz
1:¥116.0284
10:¥106.6494
25:¥102.2763
100:¥90.061
600:¥80.1396
参考库存:17532
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-175HMz SE
1:¥499.3809
10:¥439.1406
25:¥390.3472
50:¥350.1644
参考库存:17535
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,046.8659
参考库存:17538
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
1:¥544.3323
5:¥534.3431
10:¥520.5119
25:¥510.2967
参考库存:17541
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 30W-12.5V-175MHz SE
50:¥445.1296
100:¥438.2931
参考库存:17544
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