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射频晶体管

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AGR21125EF

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库存:15,073(价格仅供参考)
数量单价合计
10
¥793.373
7933.73
30
¥702.7018
21081.054
50
¥634.6984
31734.92
100
¥612.0306
61203.06
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
封装
Tray
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,AGR21125EF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Device VHF/UHF 13V 150mW 13dB 7GHz
1:¥3.7629
10:¥2.486
100:¥1.3899
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
参考库存:4784
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS
1:¥11.4469
10:¥9.2208
100:¥7.0738
500:¥6.2263
1,000:¥4.9155
参考库存:2770
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.7629
10:¥3.0736
100:¥1.8758
1,000:¥1.4577
3,000:¥1.2317
参考库存:7588
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF085H/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥868.9813
参考库存:15834
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,036.2665
参考库存:15837
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