您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

射频晶体管
T2G6000528-Q3 28V参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

T2G6000528-Q3 28V

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:1,641(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥617.7936
617.7936
25
¥522.8962
13072.405
100
¥442.5984
44259.84
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
封装
Tray
系列
T2G
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1099997
商品其它信息
优势价格,T2G6000528-Q3 28V的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥823.8039
参考库存:17155
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
50:¥337.3276
100:¥291.766
250:¥274.2397
参考库存:3707
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥3,941.1236
参考库存:17160
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Epitaxial Sil
1:¥2.2261
10:¥1.5142
100:¥0.63732
1,000:¥0.43053
参考库存:10285
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 110/200 Watt, 48 Volt, 2.5-2.7 GHz, GaN Asymmetric Doherty
100:¥925.1536
参考库存:17165
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们