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射频晶体管
MRFE6VP100HSR5参考图片

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MRFE6VP100HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM
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691.0967
5
¥677.7288
3388.644
10
¥655.287
6552.87
25
¥627.5568
15688.92
50
¥618.9462
30947.31
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
增益
27 dB
输出功率
100 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1800 MHz to 2000 MHz
系列
MRFE6VP100H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
零件号别名
935314736178
单位重量
4.570 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF6VP3091NBR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO272WB4
500:¥451.2768
参考库存:17843
RFM04U6P(TE12L,F)
Toshiba
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2A 7W 16V
1:¥23.1311
10:¥18.6676
100:¥14.9047
500:¥13.0628
1,000:¥10.8367
参考库存:4798
PD84010-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann
1:¥126.6278
10:¥116.4917
25:¥111.644
100:¥98.3552
参考库存:17848
AFT27S012NT1
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT27S012N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP
1:¥126.0967
10:¥115.9493
25:¥111.192
100:¥97.971
1,000:¥79.9136
参考库存:17851
AFT05MS004NT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS004N/SIL3///REEL 7 Q2 NDP
1:¥15.142
10:¥13.9103
25:¥12.5995
100:¥11.3678
1,000:¥8.5315
参考库存:6760
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