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射频晶体管
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MRF09030LR1

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数量单价合计
1
¥576.30
576.3
10
¥480.25
4802.5
25
¥432.225
10805.625
50
¥384.20
19210
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
封装
Tray
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MRF09030LR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB
1:¥207.468
10:¥191.874
25:¥184.1109
50:¥176.3478
100:¥163.8952
参考库存:3862
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-1GHz SE
100:¥155.601
250:¥154.9117
500:¥154.6066
参考库存:17341
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB
1:¥3,621.9325
10:¥3,565.9184
参考库存:3851
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.0GHz P1dB 49dBm Gain 19.7dB GaN
1:¥1,213.2245
2:¥1,193.0201
5:¥1,173.4259
10:¥1,154.4419
25:¥1,112.8692
参考库存:17346
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 14Watt NF 1.5dB GaN
50:¥394.4152
100:¥348.4694
250:¥324.1066
参考库存:3898
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