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射频晶体管

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NPT25100B

  • MACOM
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.1-2.7GHz 125W Gain 16.5dB GaN
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1
¥1,344.0898
1344.0898
2
¥1,306.9693
2613.9386
5
¥1,277.0017
6385.0085
10
¥1,239.6552
12396.552
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
技术
GaN Si
封装
Bulk
商标
MACOM
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，NPT25100B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1011HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1011H/CFM2F///REEL 13
50:¥3,427.4482
参考库存:16960
2731GN-200M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥4,744.5649
参考库存:16963
NESG270034-EV09-AZ
CEL
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 For NESG270034-AZ
1:¥1,056.55
参考库存:16966
PD85035TR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥220.915
5:¥218.6098
10:¥203.7842
25:¥194.7103
600:¥157.9853
参考库存:16969
BFP 640F H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.9041
100:¥1.7628
1,000:¥1.3673
3,000:¥1.1639
参考库存:6471
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