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射频晶体管

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NPT25100B

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.1-2.7GHz 125W Gain 16.5dB GaN
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1
¥1,344.0898
1344.0898
2
¥1,306.9693
2613.9386
5
¥1,277.0017
6385.0085
10
¥1,239.6552
12396.552
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
技术
GaN Si
封装
Bulk
商标
MACOM
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，NPT25100B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SD2931-10W
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
1:¥544.3323
5:¥534.3431
10:¥520.5119
25:¥510.2967
参考库存:4231
AGR09070EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 921-960MHz 70Watt Gain @ P1dB 18.25dB
1:¥522.512
5:¥479.4816
10:¥430.304
25:¥381.1264
参考库存:17575
CGH60120D-GP4
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
暂无价格
参考库存:17578
PTVA123501EC-V2-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥3,941.1236
参考库存:17581
0405SC-100M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
5:¥3,613.5592
参考库存:17584
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