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射频晶体管
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SD57045-01

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
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数量单价合计
1
¥579.6787
579.6787
5
¥569.0793
2845.3965
10
¥554.3215
5543.215
25
¥543.4848
13587.12
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
45 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M250
封装
Bulk
配置
Single
高度
3.94 mm
长度
9.91 mm
工作频率
1 GHz
系列
SD57045-01
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.09 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
2.7 S
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
93 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格,SD57045-01的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,510.0642
2:¥1,473.7121
5:¥1,452.1178
10:¥1,431.5292
参考库存:2748
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
400:¥340.3221
参考库存:16241
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
1:¥185.5686
25:¥160.5165
100:¥138.8544
250:¥129.0912
参考库存:2800
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt
暂无价格
参考库存:16246
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W
1:¥7.6049
10:¥6.0681
100:¥4.6669
500:¥4.1132
1,000:¥3.2544
参考库存:16249
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