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晶体管
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FDB120N10

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库存:7,341(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5152
21.5152
10
¥18.2834
182.834
100
¥15.8313
1583.13
250
¥15.0629
3765.725
500
¥13.5261
6763.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
74 A
Rds On-漏源导通电阻
9.7 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB120N10
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power Trench MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
105 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FDB120N10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
1:¥86.0608
10:¥78.2186
25:¥72.3087
50:¥68.3876
参考库存:1689
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥113.8023
10:¥103.4289
25:¥95.6658
50:¥90.4452
参考库存:1662
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 20V
1:¥0.99892
10:¥0.84524
100:¥0.29945
1,000:¥0.20001
10,000:¥0.13108
20,000:查看
参考库存:51082
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 2.3A SOT-89-3
1:¥3.842
10:¥3.2318
100:¥1.9775
1,000:¥1.5255
2,000:¥1.2995
参考库存:4338
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:98099
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