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晶体管
SIHB12N50C-E3参考图片

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SIHB12N50C-E3

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库存:33,410(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.7252
40.7252
10
¥33.7305
337.305
100
¥27.7415
2774.15
250
¥26.894
6723.5
500
¥24.1255
12062.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
560 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
555 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SIHB12N50C-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L
1:¥10.5994
10:¥8.7575
100:¥6.6896
500:¥5.7517
1,000:¥4.5313
3,000:¥4.5313
参考库存:4193
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥43.0304
10:¥36.5781
100:¥31.6626
250:¥30.0467
500:¥26.9731
参考库存:1426
晶体管
MOSFET N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
1:¥7.684
10:¥6.3732
100:¥4.8816
500:¥4.2036
1,000:¥3.3109
3,000:¥3.1527
参考库存:33121
晶体管
MOSFET
1:¥5.3788
10:¥4.4974
100:¥2.9041
1,000:¥2.3165
2,500:¥2.3165
参考库存:7895
晶体管
MOSFET 60V 65A N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥9.7632
10:¥8.3733
100:¥6.3958
500:¥5.65
3,000:¥3.955
9,000:查看
参考库存:5592
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