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晶体管
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PTVA101K02EV-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥4,926.3706
246318.53
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
增益
18 dB
输出功率
25 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36275-4
封装
Reel
工作频率
1030 MHz / 1090 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTVA101K02EV-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N2369A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
155:¥50.7144
250:¥46.5673
500:¥42.488
1,000:¥37.0414
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FS150R17KE3G
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2,000:¥3.3109
4,000:¥3.0171
10,000:¥2.7572
24,000:¥2.712
参考库存:38113
RM170N30DF
Rectron
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5,000:¥5.3901
10,000:¥4.9155
参考库存:38116
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1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2433
500:¥6.3958
参考库存:5154
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