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晶体管
IPP100N10S3-05参考图片

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IPP100N10S3-05

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS-T
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库存：2,925(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.5154
25.5154
10
¥21.6734
216.734
100
¥18.7467
1874.67
250
¥17.8314
4457.85
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
34 ns
零件号别名
IPP100N10S305AKSA1 IPP1N1S35XK SP000407126
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP100N10S3-05的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP610DL-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥1.6159
10:¥1.11418
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
参考库存:13184
TK12A50E,S4X(S
Toshiba
晶体管
MOSFET POWER MOSFET N CH 250V
1:¥15.2098
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:18396
AIHD06N60RFATMA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.3733
500:¥7.3676
2,500:¥5.6839
5,000:查看
参考库存:18399
DMN2058U-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
10,000:¥0.53788
20,000:查看
参考库存:14202
DMHC4035LSDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
1,000:¥3.6838
2,500:¥3.6838
参考库存:6704
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