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晶体管
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FF1200R12IE5

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数量单价合计
1
¥5,138.449
5138.449
5
¥5,056.298
25281.49
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
1200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
20 mW
封装 / 箱体
PrimePACK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
3
子类别
IGBTs
零件号别名
FF1200R12IE5BPSA1 SP000976764
单位重量
1.5 kg
商品其它信息
优势价格,FF1200R12IE5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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100:¥9.4468
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4,800:¥6.1585
9,600:查看
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晶体管
IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
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100:¥6.2037
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晶体管
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1:¥9.9892
10:¥9.831
25:¥8.2942
100:¥7.5145
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10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
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1:¥6.9947
10:¥5.8421
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.7233
参考库存:11237
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