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产品分类

晶体管
BC 817K-25 E6327参考图片

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BC 817K-25 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.5A
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库存:29,643(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.6159
1.6159
10
¥1.469
14.69
100
¥0.52206
52.206
1,000
¥0.34578
345.78
3,000
¥0.26894
806.82
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.7 V
最大直流电集电极电流
1000 mA
增益带宽产品fT
170 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC 817K
直流电流增益 hFE 最大值
400 at 100 mA, 1 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
500 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
160 at 100 mA, 1 V
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BC817K25E6327HTSA1 BC817K25E6327XT SP000271875
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BC 817K-25 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 700V, 3A
1:¥8.5315
10:¥7.6049
100:¥5.989
500:¥4.6443
2,500:¥3.3222
5,000:查看
参考库存:28057
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
暂无价格
参考库存:28060
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 900W 100V RF Mosfet in STAC pack
80:¥724.1379
参考库存:28063
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
3,000:¥6.667
6,000:¥6.4184
9,000:¥6.1698
参考库存:28066
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 225A
4:¥3,503.7458
8:¥3,292.594
参考库存:28069
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