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晶体管
STGP20V60F参考图片

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STGP20V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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库存:3,439(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.379
4689.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP20V60F
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGP20V60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA -50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:35370
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 10A TO220-3 CoolMOS C3
1:¥45.7989
10:¥38.9624
100:¥33.7305
250:¥32.0468
500:¥28.7359
参考库存:3641
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 package
1:¥52.9405
10:¥47.8668
25:¥45.6407
100:¥39.6517
参考库存:3276
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -50V -0.15A 0.2W SOT-323; SC-70; UMT3
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:11562
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥4.9946
10:¥3.8759
100:¥3.4013
500:¥3.0397
8,000:¥1.8871
参考库存:11764
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