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晶体管
STI13NM60N参考图片

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STI13NM60N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
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库存:6,680(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.6052
13.6052
10
¥11.6051
116.051
100
¥9.2208
922.08
500
¥8.0682
4034.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
360 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STI13NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,STI13NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL NPN 50V 150MA SOT-457
1:¥3.842
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:51635
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥16.4415
10:¥13.673
100:¥10.5994
500:¥9.2999
1,000:¥7.6049
参考库存:3952
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET
1:¥12.5995
10:¥10.3734
参考库存:7863
晶体管
MOSFET 400V N-Channel
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.7631
参考库存:3546
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23
1:¥4.068
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
3,000:¥1.3108
6,000:查看
参考库存:11791
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