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晶体管
STGB30V60DF参考图片

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STGB30V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
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数量单价合计
1
¥27.7415
27.7415
10
¥23.5944
235.944
100
¥20.4417
2044.17
250
¥19.3682
4842.05
1,000
¥14.6787
14678.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
258 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB30V60DF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB30V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET P-Channel -30 V
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5427
500:¥5.7856
3,000:¥4.0454
9,000:查看
参考库存:15971
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped
10,000:¥0.34578
20,000:¥0.32318
50,000:¥0.29945
100,000:¥0.26103
参考库存:15974
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 5A 20V
1:¥4.9155
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
3,000:¥1.6159
参考库存:15977
晶体管
MOSFET PMPB25ENE/SOT1220/SOT1220
1:¥3.2996
10:¥2.7007
100:¥1.6498
1,000:¥1.2656
参考库存:15980
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT 0.1A 50V 10KOhm / 10KOhm
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.2147
参考库存:15983
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