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晶体管
RGTV00TK65DGC11参考图片

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RGTV00TK65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
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库存:4,483(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥46.9515
46.9515
10
¥42.4202
424.202
25
¥40.4992
1012.48
100
¥35.1204
3512.04
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PFM
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
Pd-功率耗散
94 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
45 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,RGTV00TK65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET
1:¥9.9892
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7856
4,800:¥4.0454
9,600:查看
参考库存:6613
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:18853
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 47A 10mOhm 65.3nC LogLvl
1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
1,000:¥7.6614
参考库存:3841
晶体管
MOSFET 800V N-Channel QFET
1:¥9.2208
10:¥7.8422
100:¥6.0681
500:¥5.3675
参考库存:2852
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 350A 1.85mOhm 380nC Qg
1:¥50.172
10:¥45.3356
25:¥43.2564
100:¥37.5725
参考库存:2968
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