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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	320 mW
系列	TDTC114E
封装	Cut Tape
封装	Reel
商标	Toshiba
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，TDTC114E,LM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
EMG8T2R	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 RECOMMENDED ALT 755-EMH75T2R	1:¥3.5369 10:¥2.486 100:¥1.1413 1,000:¥0.87575 8,000:¥0.68365 24,000:查看	参考库存:44447
QS6M3TR	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6	1:¥3.9211 10:¥3.2544 100:¥1.9775 1,000:¥1.5255 3,000:¥1.5029	参考库存:44450
2N5582	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT	1:¥137.7696 10:¥125.2492 25:¥115.8024 50:¥109.5761	参考库存:44453
2SK4150TZ-E	Renesas Electronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET	2,500:¥1.7854 5,000:¥1.6159	参考库存:44456
FZ2400R17HP4_B9	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT 1700V 2400A	1:¥7,497.5839 5:¥7,377.7135	参考库存:4614