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晶体管
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QPD1000

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
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库存:4,003(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥445.672
445.672
25
¥391.884
9797.1
100
¥345.78
34578
250
¥315.044
78761
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
28 V
Vgs-栅源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
817 mA
输出功率
24 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
28.8 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-8
封装
Tray
配置
Single
工作频率
30 MHz to 1.215 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1000PCB401, QPD1000PCB402
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
零件号别名
1131140
商品其它信息
优势价格,QPD1000的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 20V 3A 8.5S
1:¥4.3053
10:¥3.6386
100:¥2.7346
500:¥2.0001
30,000:¥1.1526
48,000:查看
参考库存:12741
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
1:¥4.5313
10:¥3.8307
100:¥2.8702
500:¥2.1018
3,000:¥1.4351
6,000:查看
参考库存:10285
晶体管
达林顿晶体管 NPN 30V 500mA
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
2,000:¥0.99892
参考库存:5367
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
1,000:¥6.8817
参考库存:5098
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
参考库存:7369
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