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IKFW60N60DH3EXKSA1

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数量单价合计
1
¥54.1722
54.1722
10
¥48.9516
489.516
25
¥46.7142
1167.855
100
¥40.4992
4049.92
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
PG-TO247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
53 A
Pd-功率耗散
141 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
74 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
零件号别名
IKFW60N60DH3E SP001502658
商品其它信息
优势价格，IKFW60N60DH3EXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIDR626DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
1:¥21.8994
10:¥18.2156
100:¥14.0572
500:¥12.2944
3,000:¥9.5259
6,000:查看
参考库存:6960
SMBT 2907A E6327
Infineon Technologies
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT PNP 60V 0.6A
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100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
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2N6486
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晶体管
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100:¥11.8311
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参考库存:1729
SIDR392DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
1:¥20.905
10:¥17.3681
100:¥13.447
500:¥11.752
1,000:¥9.7632
3,000:¥9.0626
参考库存:7271
D45H2A
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power Transistor
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5879
500:¥5.8195
参考库存:1397
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