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晶体管
NTBS2D7N06M7参考图片

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NTBS2D7N06M7

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NMOS 60V 2.7 MOHM
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数量单价合计
1
¥29.8094
29.8094
10
¥25.3572
253.572
100
¥21.9785
2197.85
250
¥20.8259
5206.475
500
¥18.6676
9333.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
110 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
176 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
52 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
36 ns
商品其它信息
优势价格,NTBS2D7N06M7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL NPN 11V 50MA SOT-363
1:¥3.2318
10:¥2.4182
100:¥1.3108
1,000:¥0.9831
3,000:¥0.85315
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暂无价格
参考库存:35080
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.3843
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:303582
晶体管
MOSFET 30V NChannel Lo Side NexFET Pwr MOSFET
1:¥8.6106
10:¥7.3789
100:¥5.6387
500:¥4.9833
2,500:¥3.4917
10,000:查看
参考库存:35085
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 5A 50V
1:¥5.6839
10:¥4.7799
100:¥3.0849
1,000:¥2.4634
参考库存:4502
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