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晶体管
IGW40N60TPXKSA1参考图片

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IGW40N60TPXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
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数量单价合计
1
¥30.3518
30.3518
10
¥25.8205
258.205
100
¥22.3627
2236.27
250
¥21.2101
5302.525
500
¥19.0518
9525.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
67 A
Pd-功率耗散
246 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW40N60TP SP001379670
单位重量
6.055 g
商品其它信息
优势价格,IGW40N60TPXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
500:¥17.4472
1,000:¥14.6787
2,500:¥13.9894
5,000:¥13.447
参考库存:30052
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
45,000:¥0.63732
参考库存:30055
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:11205
晶体管
MOSFET
5,000:¥2.5538
10,000:¥2.4634
25,000:¥2.3843
参考库存:30060
晶体管
MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp
1:¥10.8367
10:¥8.9157
100:¥6.8365
500:¥5.876
3,000:¥5.876
参考库存:30063
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