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晶体管
IGW40N60TPXKSA1参考图片

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IGW40N60TPXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
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库存:3,917(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.3518
30.3518
10
¥25.8205
258.205
100
¥22.3627
2236.27
250
¥21.2101
5302.525
500
¥19.0518
9525.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
67 A
Pd-功率耗散
246 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW40N60TP SP001379670
单位重量
6.055 g
商品其它信息
优势价格,IGW40N60TPXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥360.6847
5:¥349.7802
10:¥339.5537
25:¥318.3436
参考库存:2159
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥144.1541
10:¥131.0122
25:¥121.249
50:¥114.6498
参考库存:2145
晶体管
MOSFET N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
1:¥170.4266
5:¥168.6638
10:¥157.2169
25:¥150.1431
参考库存:2279
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4354
1,000:¥6.1585
参考库存:3017
晶体管
MOSFET Automotive-grade dual N-channel 60 V, 27 mOhm typ., 20 A STripFET II Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 DI package
1:¥7.7631
10:¥6.5653
100:¥5.0398
500:¥4.4522
3,000:¥3.1188
9,000:查看
参考库存:4784
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