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晶体管
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IAUT240N08S5N019ATMA1

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库存:5,524(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.273
36.273
10
¥30.8151
308.151
100
¥26.7358
2673.58
250
¥25.3572
6339.3
2,000
¥18.2156
36431.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
240 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
130 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IAUT240N08S5N019 SP001685094
商品其它信息
优势价格,IAUT240N08S5N019ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 3A
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:19098
晶体管
达林顿晶体管 4A 40V Bipolar Power PNP
1:¥5.6048
10:¥4.633
100:¥2.9945
1,000:¥2.3843
参考库存:14466
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 750A 6500V
1:¥17,193.1082
5:¥16,918.247
参考库存:3919
晶体管
MOSFET 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:36541
晶体管
MOSFET UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK
1:¥21.4361
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.0684
1,000:¥10.0683
参考库存:5039
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