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射频晶体管
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SD1015-06

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数量单价合计
1
¥751.111
751.111
10
¥689.2548
6892.548
25
¥618.562
15464.05
50
¥547.8692
27393.46
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
35
集电极—发射极最大电压 VCEO
18 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
1 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
M135
封装
Tray
工作频率
150 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
10 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，SD1015-06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF314
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 30-200MHz 30Watts 28Volt Gain 10dB
1:¥227.9097
10:¥217.073
参考库存:3161
MRF586
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥80.682
10:¥67.235
25:¥60.5454
50:¥53.788
参考库存:3231
BLV20
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:3109
SD2931-15W
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥494.3863
5:¥483.3236
10:¥464.4187
25:¥449.4349
参考库存:16597
3135GN-100M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥3,262.4004
参考库存:16600
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