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射频晶体管
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TGF2929-FS

  • Qorvo
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN SiC
Id-连续漏极电流
12 A
Vds-漏源极击穿电压
28 V
增益
14 dB
输出功率
107 W
封装
Tray
工作频率
3.5 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
144 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
145 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.9 V
零件号别名
1123716
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFR183E6327HTSA1
Infineon Technologies
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射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW
1:¥2.9945
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参考库存:18028
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