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射频晶体管
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D1010UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 125W-28V-500MHz PP
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数量单价合计
1
¥1,536.6418
1536.6418
10
¥1,353.9208
13539.208
25
¥1,229.3609
30734.0225
50
¥1,079.828
53991.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
10 dB
输出功率
125 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DR
配置
Dual
高度
5.08 mm
长度
34.03 mm
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
22.22 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
389 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D1010UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 400W-50V-175MHz SE
50:¥2,037.4917
参考库存:18288
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥2,140.1522
5:¥2,077.2112
10:¥1,947.2047
25:¥1,900.8634
参考库存:18291
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFET
18:¥4,072.52
参考库存:18294
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
15,000:¥1.4464
45,000:¥1.4012
参考库存:18297
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.9379
20,000:¥0.89157
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:18300
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