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射频晶体管
BFP 620 H7764参考图片

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BFP 620 H7764

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥3.5595
35.595
100
¥2.1696
216.96
1,000
¥1.6724
1672.4
3,000
¥1.4238
4271.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP620
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
110
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.3 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
80 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
65 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
185 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP620H7764XTSA1 BFP62H7764XT SP000745302
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，BFP 620 H7764的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D1013UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-500MHz SE
50:¥380.4371
100:¥377.2844
参考库存:15201
MRF09030LR1
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥576.30
10:¥480.25
25:¥432.225
50:¥384.20
参考库存:15204
A2T18S160W31GSR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S160W31GS/CFM4///REEL 13 Q2 NDP
250:¥773.6206
参考库存:15207
BLX98
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥668.508
10:¥557.09
25:¥501.381
50:¥445.672
参考库存:15210
MRF174
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:15213
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