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射频晶体管
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MHT1002NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS TRANSIS 915MHz, 350W CW,50V
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¥1,475.6331
368908.275
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
增益
20 dB
输出功率
350 W
封装
Reel
工作频率
915 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
935323605528
单位重量
3.065 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFR183E6327HTSA1
Infineon Technologies
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射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW
1:¥2.9945
10:¥2.1131
100:¥0.97632
1,000:¥0.7458
3,000:¥0.63732
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50:¥597.1259
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