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射频晶体管
2SK3079ATE12LQ参考图片

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2SK3079ATE12LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
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数量单价合计
1,000
¥9.379
9379
2,000
¥8.6784
17356.8
5,000
¥8.3733
41866.5
10,000
¥8.0682
80682
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
10 V
增益
13.5 dB
输出功率
2.2 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
470 MHz
系列
2SK3079
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
商品其它信息
优势价格，2SK3079ATE12LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SK3557-6-TB-E
ON Semiconductor
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:10014
D1027UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-28V-175MHz PP
50:¥1,279.612
参考库存:17968
STAC0912-250
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250W 36V 960-1215 MHz LDMOS TRANSISTOR
15:¥1,219.2926
30:¥1,202.2409
参考库存:17971
MRF8S9220HSR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S
1:¥952.9742
5:¥934.4535
10:¥903.6384
25:¥865.3766
250:¥775.9258
参考库存:17974
CGH55015F2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
1:¥528.049
参考库存:4540
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