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射频晶体管
MRFE6VP61K25HSR5参考图片

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MRFE6VP61K25HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230HS
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数量单价合计
1
¥1,350.0788
1350.0788
5
¥1,319.953
6599.765
10
¥1,292.9121
12929.121
25
¥1,273.849
31846.225
50
¥1,227.5981
61379.905
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 uA
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
24 dB
输出功率
1.25 kW
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 MHz, 600 MHz
系列
MRFE6VP61K25H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.333 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935314409178
单位重量
8.488 g
商品其它信息
优势价格，MRFE6VP61K25HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP405H6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.0736
10:¥2.599
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.04525
参考库存:11347
BFU690F,115
NXP Semiconductors
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射频(RF)双极晶体管 Single NPN 18GHz
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.469
参考库存:47499
BFY64004PZZZA1
Infineon Technologies
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射频(RF)双极晶体管 HIREL
暂无价格
参考库存:17622
SD1477
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射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
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TGF2978-SM
Qorvo
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
暂无价格
参考库存:17628
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