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晶体管
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APT77N60BC6

  • Microsemi
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
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数量单价合计
1
¥107.0336
107.0336
10
¥97.2817
972.817
25
¥89.9819
2249.5475
50
¥85.0664
4253.32
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
77 A
Rds On-漏源导通电阻
37 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
260 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
481 W
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
110 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，APT77N60BC6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5833NWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
1,500:¥3.5595
9,000:¥3.4239
24,000:¥3.3109
参考库存:42111
NIC9N05TS1
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DIE CLAMPEDFET 55V
3,500:¥8.5315
7,000:¥8.2264
10,500:¥7.91
参考库存:42114
CMLDM7003T TR
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Enh FET 50Vds 50Vdg 12Vgs
3,000:¥1.12209
6,000:¥1.12209
9,000:¥1.04525
24,000:¥0.99101
45,000:¥0.96841
99,000:¥0.92999
参考库存:42117
RJH60F4DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥31.0411
10:¥27.7415
25:¥24.973
50:¥23.8204
参考库存:42120
JAN2N3637UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥140.007
250:¥127.6335
500:¥119.4071
参考库存:42123
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