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晶体管
NSV20101JT1G参考图片

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NSV20101JT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN LOW VCE(SAT)
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库存:22,194(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.1418
11.1418
10
¥9.5259
95.259
100
¥7.2772
727.72
500
¥6.4297
3214.85
3,000
¥4.4974
13492.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
350 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS20101J
高度
0.7 mm
长度
1.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
0.85 mm
商标
ON Semiconductor
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,NSV20101JT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL NPN 50V 100MA EMD3
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:9737
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP
1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
8,000:¥0.59212
24,000:查看
参考库存:10195
晶体管
达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power PNP
1:¥5.0737
10:¥4.1584
100:¥2.6781
1,000:¥2.147
参考库存:4555
晶体管
MOSFET Pch -12V -3A Middle Power MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:7305
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5032
1,000:¥6.215
参考库存:3189
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