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晶体管

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FP35R12W2T4

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库存:1,658(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥410.4047
410.4047
5
¥401.3308
2006.654
10
¥382.9683
3829.683
25
¥366.911
9172.775
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
54 A
封装 / 箱体
EASY2B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
56.7 mm
宽度
62.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
15
子类别
IGBTs
零件号别名
FP35R12W2T4BOMA1 SP000307559
单位重量
39 g
商品其它信息
优势价格,FP35R12W2T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBT
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
参考库存:3318
晶体管
达林顿晶体管 8A 80V Bipolar Power PNP
1:¥6.9156
10:¥5.7517
100:¥3.7064
1,000:¥2.9606
参考库存:4422
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 37.5 mo FET
1:¥4.9946
10:¥4.1019
100:¥2.4973
1,000:¥1.9323
1,500:¥1.9323
参考库存:5297
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 1.8W 10mW 50mA
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
参考库存:3275
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SS Power
1:¥23.278
10:¥20.8259
100:¥18.984
250:¥17.1308
参考库存:3246
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