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晶体管
SIHP17N60D-E3参考图片

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SIHP17N60D-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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库存:22,186(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.6623
25.6623
10
¥21.2892
212.892
100
¥17.515
1751.5
250
¥16.9839
4245.975
500
¥15.2098
7604.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
340 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
277.8 W
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
D
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
56 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHP17N60D-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR
1:¥4.0002
10:¥2.7572
100:¥1.8645
500:¥1.5029
1,000:¥1.12209
3,000:¥1.02943
参考库存:12475
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.119
2,500:¥5.4918
5,000:查看
参考库存:9837
晶体管
MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench
1:¥8.1473
10:¥6.9269
100:¥5.3223
500:¥4.7008
2,500:¥3.2996
10,000:查看
参考库存:5655
晶体管
MOSFET Dual P-CH NexFET Pwr MOSFET
1:¥5.0737
10:¥4.2262
100:¥2.7007
1,000:¥2.1696
3,000:¥1.8306
9,000:查看
参考库存:7106
晶体管
MOSFET MOSFET P-CHANNEL
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:30793
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